RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2098
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link