RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3409
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link