RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3564
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link