RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2940
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link