RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2368
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link