RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3132
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link