RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3282
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M391B5773DH0-YH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link