RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
74
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
74
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1849
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link