RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2346
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link