RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3491
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link