RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2740
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link