RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14200
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
21300
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2973
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Porównanie pamięci RAM
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link