RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2756
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link