RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3098
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link