RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3697
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link