RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1953
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link