RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3223
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link