RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2426
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link