RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3038
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link