RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2978
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link