RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2318
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link