RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3068
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link