RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2588
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link