RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3148
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link