RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3367
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link