RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2878
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link