RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
7.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1760
2438
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link