RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3396
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link