RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3663
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link