RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3117
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link