RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2580
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link