RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3501
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link