Porównanie pamięci RAM Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 32

Wokół strony 16% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

19.4 11.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.3 7.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2057 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns