RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3217
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link