RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3252
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link