RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
104
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.2
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
6.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1400
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link