RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2082
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link