RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2665
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link