RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2332
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link