RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2870
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link