RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1890
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link