RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
4000
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link