RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
73
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1979
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link