RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3700
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link