RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3426
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link