RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2319
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link