RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2605
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link