RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3409
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link