RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2605
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link