RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
59
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
59
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2225
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link